單壁碳納米管網(wǎng)絡(luò)的構(gòu)建及其應(yīng)用

 

 

 

背景介紹

 

自從飯島澄男教授發(fā)現(xiàn)碳納米管（CNT）以來，單壁碳納米管（SWCNT）在過去的20年里一直吸引著大量的研究興趣[1]。它們的分子結(jié)構(gòu)可以用石墨烯卷成一維(1-D)無縫圓柱體來描述。獨特的準(zhǔn)一維結(jié)構(gòu)和芳香單層[2,3]表面提供了優(yōu)異的電學(xué)性能(高載流能力，~109Acm-2) [4,5]，熱導(dǎo)率(~3500Wm-1K-1) [6]，和機(jī)械性能(楊氏模量，~1-2TPa) [7]。這些特性使SWCNT成為各種應(yīng)用的理想候選者，包括傳感器[8]、能量存儲設(shè)備[9]、場發(fā)射設(shè)備[10]、和藥物輸送劑[11]。對于使用SWCNT 作為主要組件的設(shè)備，開發(fā)制造工藝非常重要：i）在所需的位置、方向和尺寸上可控地組裝SWCNT；ii）將它們集成到功能強(qiáng)大的設(shè)備中；iii) 設(shè)計它們的分子結(jié)構(gòu)以進(jìn)一步增強(qiáng)它們的物理性能。
 

 

本文介紹了一種先進(jìn)的自組裝方法，用于在各種基板上制造可調(diào)節(jié)的微納米級SWCNT網(wǎng)絡(luò)[12-14]。其次，作者展示了這些有組織的架構(gòu)的集成，以應(yīng)用于通過創(chuàng)建高度可控的SWCNT和硅基異質(zhì)結(jié)來實現(xiàn)光電器件。這代表了一種新型的基于光電二極管的邏輯器件，它可以由光和電兩種輸入控制，具有高電壓可切換光電流響應(yīng)性(>1 A/W)，光電壓響應(yīng)性(>105 V/W)，以及良好的電和光開關(guān)比(電:>105和光:>104)[15]。第三，作者還通過用2,2,6,6-四甲基哌啶-官能化證明了這些SWCNT 網(wǎng)絡(luò)用于高性能硫化氫（H2S）檢測1-oxyl(TEMPO)[16]。最后，介紹了SWCNT網(wǎng)絡(luò)的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化到連續(xù)的多壁碳納米管，然后到石墨/多層石墨烯納米帶結(jié)構(gòu)，使用一種新開發(fā)的電壓控制方法，稱為“納米管聚變”，這不僅證明了工程碳納米管的sp2結(jié)構(gòu)新方法，而且大大提高了其電和熱輸運性能[17]。

單壁碳納米管組裝 

 

 

 

作者使用模板導(dǎo)向流體組件的方法來制備高度組織和對齊的SWCNTs薄膜，它采用了光刻圖案模板輔助浸漬涂層[12–14],[18]。SWCNTs在預(yù)先設(shè)計的光刻膠通道之間直接組裝在親水性表面上，形成微和納米尺度的高起源SWCNTs側(cè)網(wǎng)絡(luò)。等離子體處理可以提高流體組裝的質(zhì)量，增加懸浮鍵和表面親水氫氧根官能團(tuán)的數(shù)量。圖1顯示了模板引導(dǎo)射流組裝方法的詳細(xì)程序。圖1A-C顯示了SiO2基板經(jīng)過等離子體處理，然后用光刻膠旋涂，并通過光刻技術(shù)（分別用于微納米級圖案的光刻和電子束光刻）進(jìn)行圖案化。圖1D展示了使用浸涂機(jī)將預(yù)先圖案化的基板首先垂直浸入SWCNT去離子(DI)水溶液中，然后以恒定的拉速度逐漸從溶液中提起的過程。圖1E和1C顯示了在去除光刻膠后，在SiO2襯底上的微/納米級溝槽和SWCNT網(wǎng)絡(luò)之間形成的SWCNT網(wǎng)絡(luò)圖案。圖1G-J顯示了SiO2/Si襯底上的厘米級、毫米級、微米級和納米級組裝的SWCNT網(wǎng)絡(luò)。

圖1 模板輔助流體SWCNT組裝示意圖和SWCNT網(wǎng)絡(luò)的SEM圖像 A）通過等離子蝕刻對SiO2襯底進(jìn)行表面處理；B-C）光刻膠涂層和模板圖案化；D-E）通過浸涂形成SWCNT條帶并組裝具有光刻膠圖案的SWCNT條帶；F）去除光刻膠后高度組織的SWCNT條帶；G-H）3英寸上組裝的SWCNT條帶的照片圖像，100μm寬組裝的SWCNT網(wǎng)絡(luò)的晶圓和顯微圖像；I-J）4 μm寬和200 nm寬組裝的SWCNT網(wǎng)絡(luò)的SEM圖像[14,18]。

基于光電應(yīng)用的SWCNTS和Si異質(zhì)結(jié)

 

開發(fā)基于硅的光子電路組件，例如片上源、調(diào)制器、存儲等，是解決傳統(tǒng)硅電路傳輸速度和集成度瓶頸的有希望的方法[19,20]。在這里，作者展示了SWCNT和硅的高度集成和控制異質(zhì)結(jié)可以展示一個完全非常規(guī)的、急劇非線性的、反偏相關(guān)的光電流。這種新現(xiàn)象為獲得高開關(guān)比的多功能模擬和混合數(shù)字光電運算提供了新的途徑。可以通過電壓的微小變化獲得大的光電流切換，從而使光電門/器件具有邏輯輸出，具體取決于光學(xué)和電子輸入的邏輯狀態(tài)。我們在厘米尺度的晶圓上展示了許多新型光電開關(guān)/器件和大量SWCNT架構(gòu)器件的光刻組裝。圖2A和2E顯示了高密度SWCNT/Si異質(zhì)結(jié)圖案的示意圖和數(shù)字照片。SWCNTs通過模板流體法和常規(guī)光刻法在輕摻雜p的硅表面組裝為微/納米級器件結(jié)構(gòu)，如圖2F所示。圖2B顯示了SWCNT-Si結(jié)的暗和亮I-V曲線，以及具有相似尺寸的金屬硅結(jié)中的光電流響應(yīng)。雖然SWCNT-Si結(jié)中的暗I-V遵循傳統(tǒng)二極管整流行為，但電流明顯偏離了傳統(tǒng)行為，即在反偏壓Vr的幾伏內(nèi)急劇上升幾個數(shù)量級，這與相同光源下同等尺寸的傳統(tǒng)金屬-Si肖特基結(jié)的發(fā)光I-V不同。提出的這些異質(zhì)結(jié)能帶結(jié)構(gòu)的半定量模型表明，急劇的非線性光電流行為可能與SWCNT帶中可用狀態(tài)的反向偏置可調(diào)總數(shù)n(ε=eVr)有關(guān)。圖2C展示了SWCNT組件Si傳感器陣列的照片。圖2G顯示了連接到源極和漏極電極的叉指型SWCNT網(wǎng)絡(luò)，這相當(dāng)于兩個背靠背光電二極管形成一個雙向光電晶體管。圖2H顯示了一個混合輸入的光電和門，光和施加的電壓是輸入，測量的電流是輸出。此外，圖2I-J分別顯示了2位和4位數(shù)字光輸入、電壓可切換模擬輸出加法器電路；當(dāng)施加反向電壓時，輸出顯示數(shù)字和的模擬等效值。因此，SWCNT-Si結(jié)是光電傳感器、光轉(zhuǎn)換器、光度測量和成像等光電應(yīng)用的通用平臺。

 

圖2 新型光電器件示意圖和SWCNT-Si傳感器陣列圖像 A）帶有電極的 SWCNT-Si異質(zhì)結(jié)測試結(jié)構(gòu)(2cm×2cm)；B）典型SWCNT-Si異質(zhì)結(jié)的暗和亮I-V 曲線；C）SWCNT-Si傳感器：0.25兆像素SWCNT-Si傳感器陣列的數(shù)碼照片（陣列面積，12mm×12mm）和D）傳感器“核心”的SEM圖像；E）SWCNT-Si異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的數(shù)碼照片；F）組裝的SWCNT帶SEM 圖像；G）使用連接到源漏引線的叉指型SWCNT指的雙向光電晶體管。該器件的有源區(qū)面積為3mm×200mm；H）具有光和電輸入以及電輸出的與門。結(jié)的有源區(qū)面積為3mm×100mm，插圖：一組典型的工作條件，確定輸入和輸出條件的“低”和“高”邏輯狀態(tài)；I）具有2個光學(xué)輸入和一個電氣輸入和輸出的2位加法器/或門；J）4位數(shù)模轉(zhuǎn)換器
 

 

帶SWCNT器件的高性能H2S檢測器

 

SWCNT具有獨特的納米結(jié)構(gòu)、高遷移率、高電流密度、高效電化學(xué)表面積等優(yōu)點，是各種化學(xué)傳感器積極研究的對象[8]。由于原始的基于CNT的化學(xué)傳感器僅利用其固有的為了克服其在選擇性和靈敏度方面的局限性，用共價或非共價材料對SWCNT進(jìn)行功能化已被用于進(jìn)一步提高基于SWCNT的化學(xué)傳感器的靈敏度。需要注意的是，因為其一維納米結(jié)構(gòu)，SWCNT對濕度和周圍溫度等環(huán)境變化非常敏感。
 

 

在開發(fā)H2S氣體傳感器時，我們使用TEMPO分子摻雜作為SWCNT表面的催化劑，以提高室溫下通過氧化還原反應(yīng)檢測H2S的靈敏度。圖3A-D顯示了高度組織的微傳感器器件的SEM圖像，這些器件通過模板導(dǎo)向流體組裝方法，然后涂上TEMPO涂層，制備了大規(guī)模的SWCNT網(wǎng)絡(luò)圖案。圖3E顯示了用于功能化SWCNTs的TEMPO的化學(xué)結(jié)構(gòu)。這種化合物能夠氧化氣態(tài)的H2S，可以用作H2S傳感器的傳感分子。圖3F顯示了功能化SWCNT傳感器在不同濃度的H2S氣體下的實時電流變化。圖3G顯示了器件的固有靈敏度和TEMPO功能化后的優(yōu)勢。另外，根據(jù)我們的結(jié)果，TEMPO可以被氧化為TEMPO+，這是H2S解離的一個非常重要的產(chǎn)物。TEMPO+到TEMPO-H的還原反應(yīng)與H2S到S+2H++2e-的解離過程相耦合，因為在空氣中，SWCNT器件由于氧離子（O2）的作用而表現(xiàn)出p型特性。新產(chǎn)生的電子被捐贈給SWCNT，使其不再具有P型特性，這使得功能化SWCNT比純SWCNT更敏感。此外，我們發(fā)現(xiàn)濕度通過改善TEMPO到TEMPO+的變化來提高H2S的靈敏度。最后，本文還證明了用TEMPO功能化的SWCNT器件對隨著濕度增加的H2S氣體高度響應(yīng)能力。半單壁碳納米管尤其如此，它在60%的濕度下表現(xiàn)出高達(dá)420%的高靈敏度。

 

圖3 基于SWCNT網(wǎng)絡(luò)的高性能H2S檢測器 A-D）組裝好的SWCNT器件陣列的SEM圖像；E）TEMPO分子的化學(xué)結(jié)構(gòu)；F）功能化SWCNT傳感器的實時電流隨 H2S氣體濃度的變化情況；G）無修飾的SWCNT器件和TEMPO功能化SWCNT器件的靈敏度隨濕度的變化情況[16]。
 

 

SWCNT網(wǎng)絡(luò)的電融合:同素異構(gòu)體間轉(zhuǎn)化

 

sp2結(jié)構(gòu)碳納米管的改性通常需要極端且難以控制的條件，例如高溫、高壓和高能輻照。本文提出了一種簡單但功能強(qiáng)大的電學(xué)方法，通過施加受控的交流電壓脈沖來實現(xiàn)碳納米管從SWCNT到多壁碳納米管（MWCNT）或多層石墨烯/石墨納米帶結(jié)構(gòu)（MGNR）的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變。
 

 

通過控制電壓脈沖的大小、源時間和應(yīng)用于SWCNT網(wǎng)絡(luò)的開關(guān)周期數(shù)，可以在不產(chǎn)生任何結(jié)構(gòu)缺陷的情況下獲得目標(biāo)轉(zhuǎn)化納米結(jié)構(gòu)（MWCNTs或GNRs）。另外還發(fā)現(xiàn)，經(jīng)過結(jié)構(gòu)改造后，SWCNT網(wǎng)絡(luò)的電導(dǎo)率（高達(dá)35%的電阻降）和熱導(dǎo)率（高達(dá)6-7倍的熱導(dǎo)率，300 W/mK）都大大提高。圖4A顯示了在TEM網(wǎng)格上與金屬電極組裝的SWCNT網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。圖4B顯示了SWCNT網(wǎng)絡(luò)的I-V 曲線、最大電流密度和擊穿電壓(Vb)。圖4C顯示了施加在SWCNT器件上的與時間相關(guān)的交流電壓脈沖。圖4D-F顯示了電融合過程后原始SWCNT、MWNT（0.6Vb，3,000次循環(huán)）和GNR（0.8Vb，3,000次循環(huán)）的TEM圖像。圖4G-H顯示了SWCNT器件在相同的3,000 次循環(huán)中在不同施加電壓下的電阻變化和熱導(dǎo)率。

 

圖4 脈沖交變電壓誘導(dǎo)SWCNT的同素異構(gòu)體轉(zhuǎn)化及其電學(xué)和熱學(xué)性能 A） 集成在特殊設(shè)計的TEM網(wǎng)格上的電極的組裝SWCNT網(wǎng)絡(luò)的SEM圖像；B）顯示電擊穿行為的原始SWCNT網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的典型I-V特性，其中Vb是擊穿電壓；C）隨時間變化的交流電壓脈沖，用于SWCNT網(wǎng)絡(luò)的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換；D）原始SWCNT的TEM圖像；E）施加電壓Va=0.6Vb，循環(huán)3000次后的多壁結(jié)構(gòu)TEM圖像； F）經(jīng)Va=0.8Vb循環(huán)3000次后的多層石墨納米帶TEM圖像；G-H）SWCNT網(wǎng)絡(luò)在不同施加電壓下 3,000次循環(huán)次數(shù)的電學(xué)和熱學(xué)特性[17]。
 

 

結(jié)論

 

 

在這篇文章中，作者提出了一種高度組織SWCNT網(wǎng)絡(luò)的模板引導(dǎo)流體組裝方法。使用光刻圖案化模板輔助浸涂，使用光刻圖案模板輔助浸涂方法，SWCNTs直接組裝在預(yù)先設(shè)計的微納米級光刻膠通道之間，形成密集排列的、具有不同幾何形狀的SWCNTs側(cè)網(wǎng)絡(luò)，其特征尺寸從150納米到數(shù)百微米尺度不等。這些高度組織的微納米級SWCNT網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)可以集成到各種傳感器件架構(gòu)中。模板導(dǎo)向流體裝配技術(shù)的室溫和晶圓級縮放兼容性提供了在大范圍內(nèi)可復(fù)制的可能性。在這方面，本文展示了一種高性能光電探測器和一種新型邏輯器件，基于SWCNT和硅的可擴(kuò)展異質(zhì)結(jié)，其輸出電流可以完全由光和電輸入控制。我們還介紹了一種基于SWCNT的化學(xué)傳感器，該傳感器可以通過使用TEMPO作為催化劑功能化的SWCNT網(wǎng)絡(luò)上發(fā)生的氧化還原反應(yīng)有效地檢測H2S氣體。
 

 

最后，作者使用受控的交流電壓脈沖證明了在大面積SWCNT網(wǎng)絡(luò)上精確控制和明確定義的同素異形轉(zhuǎn)變和分子結(jié)的形成。使用這種新開發(fā)的電學(xué)工藝，小直徑SWCNT可以選擇性地轉(zhuǎn)化為其他同素異形sp2納米結(jié)構(gòu)，例如多壁碳納米管、多層石墨烯納米帶和具有sp3鍵的結(jié)構(gòu)。
 

參考文獻(xiàn)

 

 

1.Iijima S. 1991. Helical microtubules of graphitic carbon. Nature. 354(6348):56-58. http://dx.doi.org/10.1038/354056a0

 

 

2.Avouris P. 2002. Molecular Electronics with Carbon Nanotubes. Acc. Chem. Res. 35(12):1026-1034. http://dx.doi.org/10.1021/ar010152e

 

 

3.Dai H. 2002. Carbon Nanotubes:  Synthesis, Integration, and Properties. Acc. Chem. Res. 35(12):1035-1044. http://dx.doi.org/10.1021/ar0101640

 

 

4.Yao Z, Kane CL, Dekker C. High-Field Electrical Transport in Single-Wall Carbon Nanotubes. Phys. Rev. Lett. 84(13):2941-2944. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.84.2941

 

 

5.White CT, Todorov TN. 1998. Carbon nanotubes as long ballistic conductors. Nature. 393(6682):240-242. http://dx.doi.org/10.1038/30420

 

 

6.Pop E, Mann D, Wang Q, Goodson K, Dai H. 2006. Thermal Conductance of an Individual Single-Wall Carbon Nanotube above Room Temperature. Nano Lett. 6(1):96-100. http://dx.doi.org/10.1021/nl052145f

 

 

7.Lu JP. 1997. Elastic properties of single and multilayered nanotubes. Journal of Physics and Chemistry of Solids. 58(11):1649-1652. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-3697(97)00045-0

 

 

8.Kong J. 2000. Nanotube Molecular Wires as Chemical Sensors. 287(5453):622-625. http://dx.doi.org/10.1126/science.287.5453.622

 

 

9.Wen L, Li F, Cheng H. 2016. Carbon Nanotubes and Graphene for Flexible Electrochemical Energy Storage: from Materials to Devices.  Adv.Mater. 28(22):4306-4337. http://dx.doi.org/10.1002/adma.201504225

 

 

10.Fan S. 1999. Self-Oriented Regular Arrays of Carbon Nanotubes and Their Field Emission Properties. 283(5401):512-514. http://dx.doi.org/10.1126/science.283.5401.512

 

 

11.Shi Kam NW, O'Connell M, Wisdom JA, Dai H. 2005. Carbon nanotubes as multifunctional biological transporters and near-infrared agents for selective cancer cell destruction. Proceedings of the National Academy of Sciences. 102(33):11600-11605. http://dx.doi.org/10.1073/pnas.0502680102

 

 

12.Jaber-Ansari L, Hahm MG, Somu S, Sanz YE, Busnaina A, Jung YJ. 2009. Mechanism of Very Large-Scale Assembly of SWNTs in Template Guided Fluidic Assembly Process. J. Am. Chem. Soc. 131(2):804-808. http://dx.doi.org/10.1021/ja8076523

 

 

13.Xiong X, Chen C, Ryan P, Busnaina AA, Jung YJ, Dokmeci MR. 2009. Directed assembly of high density single-walled carbon nanotube patterns on flexible polymer substrates. Nanotechnology. 20(29):295302. http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/20/29/295302

 

 

14.Jaber-Ansari L, Hahm MG, Kim TH, Somu S, Busnaina A, Jung YJ. 2009. Large scale highly organized single-walled carbon nanotube networks for electrical devices. Appl. Phys. A. 96(2):373-377. http://dx.doi.org/10.1007/s00339-009-5194-2

 

 

15.Kim YL, Jung HY, Park S, Li B, Liu F, Hao J, Kwon Y, Jung YJ, Kar S. 2014. Voltage-switchable photocurrents in single-walled carbon nanotube? silicon junctions for analog and digital optoelectronics. Nature Photon. 8(3):239-243. http://dx.doi.org/10.1038/nphoton.2014.1

 

 

16.Jung HY, Kim YL, Park S, Datar A, Lee H, Huang J, Somu S, Busnaina A, Jung YJ, Kwon Y. 2013. High-performance H2S detection by redox reactions in semiconducting carbon nanotube-based devices. Analyst. 138(23):7206. http://dx.doi.org/10.1039/c3an01762a

 

 

17.Jung HY, Araujo PT, Kim YL, Jung SM, Jia X, Hong S, Ahn CW, Kong J, Dresselhaus MS, Kar S, et al. 2014. Sculpting carbon bonds for allotropic transformation through solid-state re-engineering of sp2 carbon. Nat Commun. 5(1): http://dx.doi.org/10.1038/ncomms5941

 

 

18.Kim YL, Li B, An X, Hahm MG, Chen L, Washington M, Ajayan PM, Nayak SK, Busnaina A, Kar S, et al. 2009. Highly Aligned Scalable Platinum-Decorated Single-Wall Carbon Nanotube Arrays for Nanoscale Electrical Interconnects. ACS Nano. 3(9):2818-2826. http://dx.doi.org/10.1021/nn9007753

 

 

19.Almeida VR, Barrios CA, Panepucci RR, Lipson M. 2004. All-optical control of light on a silicon chip. Nature. 431(7012):1081-1084. http://dx.doi.org/10.1038/nature02921

 

 

20.Liu L, Kumar R, Huybrechts K, Spuesens T, Roelkens G, Geluk E, de Vries T, Regreny P, Van Thourhout D, Baets R, et al. 2010. An ultra-small, low-power, all-optical flip-flop memory on a silicon chip. Nature Photon. 4(3):182-187. http://dx.doi.org/10.1038/nphoton.2009.268

 

這有幫助嗎？ 是  否 第一個投票!

標(biāo)簽:

單壁碳納米管

相關(guān)產(chǎn)品列表

• A420214 氧化鋁 ,99% metals basisSDS| 價格

• C124534 單壁碳納米管 ,≥95%,直徑:＜2nm,長度:5-30μm, 移動催化法SDS| 價格

• C124533 單壁碳納米管 ,≥95%,直徑:＜2nm,長度:0.3-5 μm, 移動催化法SDS| 價格

• C121255 雙壁碳納米管 ,>50%,直徑:＜5nm,長度:＜50μmSDS| 價格

• C140994 氨基化單壁碳納米管 ,≥95%,外徑:1-2nm,長度:5-30μm,浮動催化SDS| 價格

• C139822 羧基化雙壁碳納米管 ,>60%,內(nèi)徑:1-3nm,外徑:2-4nm,長度:～50μmSDS| 價格

• C139821 羥基化雙壁碳納米管 ,>60%,內(nèi)徑:1-3nm,外徑:2-4nm,長度:～50μmSDS| 價格

• C140993 短單壁碳納米管 ,≥95%,外徑:1-2nm,長度:1-3μm,浮動催化SDS| 價格

• C139817 短羥基化高純單壁碳納米管 ,>90%,內(nèi)徑:0.8-1.6nm,外徑:1-2nm,長度:1-3μmSDS| 價格

• C139815 羥基化高純單壁碳納米管 ,>90%,內(nèi)徑:0.8-1.6nm,外徑:1-2nm,長度:5-30μmSDS| 價格

• C139818 短羧基化高純單壁碳納米管 ,>90%,內(nèi)徑:0.8-1.6nm,外徑:1-2nm,長度:1-3μmSDS| 價格

• C488927 短羧基化高純單壁碳納米管 ,>90%,外徑:1-2nm,長度:1-3μmSDS| 價格

• C140995 大比表面積單壁碳納米管 ,≥95%,外徑:1-2nm,長度:5-30μm,浮動催化SDS| 價格

• C139820 低純羧基化單壁碳納米管 ,>60%,內(nèi)徑:0.8-1.6nm,外徑:1-2nm,長度:5-30μmSDS| 價格

• C139819 低純羥基化單壁碳納米管 ,>60%,內(nèi)徑:0.8-1.6nm,外徑:1-2nm,長度:5-30μmSDS| 價格

• C121252 單壁碳納米管 ,>55%,直徑:＜2nm,長度:5-30μmSDS| 價格

• C140992 單壁碳納米管 ,≥95%,外徑:1-2nm,長度:5-30μm,浮動催化SDS| 價格

• C409341 短羥基化高純單壁碳納米管 ,>90%外徑:1-2nm,長度:1-3μmSDS| 價格

• G119230 銻化鎵 ,99.99% metals basisSDS| 價格

• G119227 砷化鎵 ,片狀, 99.999% metals basisSDS| 價格

• G119229 磷化鎵 ,99.99% metals basisSDS| 價格

• M333153 鋁酸鎂，尖晶石 ,99.9%metal basis，D1=1μmSDS| 價格

• M103941 氧化鎂 ,99.99% metals basisSDS| 價格

• M141191 納米氧化鎂 ,50nm,99.9% metals basisSDS| 價格

• M103940 氧化鎂 ,AR,98.0%SDS| 價格

• S108980 硅 ,99.99% metals basis,1-3mmSDS| 價格

• S118568 二氧化硅 ,99.99% metals basis,1-3mmSDS| 價格

• C139951 羧基化高純單壁碳納米管水分散液 ,0.8-1wt%，直徑1-3nm，長度1-2umSDS| 價格

• C141007 半導(dǎo)體型HiPCO單壁碳納米管水分散液 ,≥99%SDS| 價格

• C139950 短超高純單壁碳納米管水分散液 ,0.1 wt%SDS| 價格

• C141009 半導(dǎo)體型Arc單壁碳納米管甲苯分散液 ,≥99.9%SDS| 價格

• C141005 混合型Plasma單壁碳納米管水分散液 ,≥98%SDS| 價格

• C141006 混合型Plasma單壁碳納米管DMF分散液 ,≥98%SDS| 價格

• C141004 混合型HiPCO單壁碳納米管水分散液 ,≥98%SDS| 價格

• C141008 半導(dǎo)體型HiPCO單壁碳納米管甲苯分散液 ,≥99.9%SDS| 價格

• C139949 超高純單壁碳納米管水分散液 ,0.2 wt%SDS| 價格

• S106129 鈦酸鍶 ,99.99% metals basisSDS| 價格

• T105416 二氧化鈦(IV)，金紅石 ,99.99% metals basisSDS| 價格

• C313046 多壁碳納米管 ,>95%, 外徑:8-15nm, 長度:~50μm, SSA:>140m2/gSDS| 價格